シリコンエピタキシャルウェーハ

 

シリコン エピタキシャル ウェーハは汎用性が高く、さまざまな業界の要件に合わせてさまざまなサイズと厚さで製造できます。 また、集積回路、マイクロプロセッサ、センサー、パワーエレクトロニクス、太陽光発電など、さまざまな用途でも使用されています。 シリコンエピタキシャルウェーハの品質は、製造プロセス全体にわたる厳格な品質管理手順によって保証されています。 これにより、ウェーハに欠陥、不純物、その他の性能に影響を与える可能性のある物質が存在しないことが保証されます。

 

さらに、ウェーハ上にエピタキシャル層を正確かつ均一に堆積することで、優れた電気的および光学的特性が得られます。 動作中、これらのウェーハは優れたパフォーマンスと信頼性を実現します。 極端な温度、振動、その他の過酷な条件に耐えるように設計されており、さまざまな環境での使用に最適です。

 

シリコンエピタキシーは、シリコンウェーハの研磨された結晶表面上に追加の単結晶シリコン層を堆積するプロセスです。 このプロセスにより、研磨された基板とは独立して材料特性を選択することが可能になり、その結果、基板とエピタキシャル層で異なる特性を持つウェーハを作成することが可能になります。 多くの場合、これは半導体コンポーネントの機能に必要です。

 

Sibranch では、直径 100 ～ 300 mm のシリコン エピタキシャル ウェーハを提供しています。 300 mm EPI ウェーハは主に高度に集積された半導体素子 (IC) で使用されますが、より小さな直径のものも電力用途に使用されます。 さまざまな要求を満たすために、お客様の仕様に応じて基板およびエピタキシャル層を設計します。

 

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